金相試樣制備及常見問題

時間：2020-04-13作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：158

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• 失效分析2018年技術分享活動

  2018年失效分析技術分享活動，儀準科技自2012年在北京建立以來，一直受到半導體行業內**們的支持與鼓勵，這6年來，有贊美，有夸獎，有磕絆，也有不足；感謝大家一直以來的包容與支持，**們之間的反饋與意見是我們進步的較大推動力。 我們也一直在半導體行業中努力吸收新鮮知識，緊跟行業潮流，完善公司設備及技術要求，盡我們的較大努力，去達到實驗標準。 儀準科技特此推出2018年年中的優惠活動，以此來回饋新

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發芯片產生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。 某產品試用時，插拔時頻頻出現損壞，經過比對電性分析，發現電性明顯異常，進行EMMI測試，發現芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發現鋁線燒損，判

• 芯片行業的困境

  芯片行業的困境 過去幾十年，在摩爾定律的指導下，芯片中的晶體管數量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀60年代**被發現，并一直延續到2010年代，至此以后，晶體管密度的發展開始放緩。如今，主流芯片包含了數十億個晶體管，但如果摩爾定律能夠繼續按照當時的速度發展下去，它們的晶體管數量將是現在的15倍。 每一代晶體管密度的增加，被稱為“節點”。每個節點對應于晶體

• 聚焦離子束FIB

  聚焦離子束，Focused Ion beam 服務介紹：FIB（聚焦離子束，Focused Ion beam）是將液態金屬離子源產生的離子束經過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務范圍：工業和理論材料研究，半導體，數據存儲，自然資源等領域 服務內容：1.芯片電路修改