可用石墨烯實現大功率半導體設備大幅降溫

時間：2025-06-20作者：深圳市凱高達科技有限公司瀏覽：2499

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• 日本京都大學工學院成功開發出可耐2萬伏超高壓的半導體器件

  日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發出可耐2萬伏**高壓的半導體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發出可耐2萬伏**高壓的半導體二極管器件，隨后又成功對**高壓環境下構成功率變換電路的開關器件和整流器件實施了技術驗證。 研究組在高壓環境下通過采用避免電場集中的結構設計和表面保護技術，利用碳化硅（SiC）半導體材料實現了可

• 潮州單向可控硅SCRs研發也生產

  潮州單向可控硅SCRs研發與生產 單向可控硅SCRs技術概述單向可控硅SCRs（Silicon Controlled Rectifiers）作為半導體功率器件家族中的重要成員，在現代電子控制領域扮演著**的角色。這種由四層半導體材料構成的器件，憑借其*特的單向導電可控特性，成為電子工程師手中不可或缺的控制元件。深圳市凱高達科技有限公司深耕半導體功率器件領域多年，在單向可控硅SCRs的研發與生產

• IHS：2012年全球芯片市場恐陷衰退

  市場研究機構 IHS iSuppli 旗下的Application Market Forecast Tool （AMFT）日前調降了對 2012年**晶片市場的成長率預測，認為今年該市場營收將比 2011年些微衰退0.1%，主因是宏觀經濟景氣衰弱以及因此導致的 PC 與其他電子產品需求不振。 IHS AMFT 先前就預測**晶片市場 2012年成長率較多也不到3%；而如果該機構較新的預測數據成真，

• 單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐

  ###?單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐####?性能特征BT169D作為平面型塑封單向可控硅，其技術參數展現出的工程定位。在25℃環境溫度下，器件維持400V重復峰值電壓（VRRM）與4A通態平均電流（IT(AV)）的平衡設計，浪涌電流承受能力達到40A（50Hz/10ms）。觸發特性方面，門觸發電流（IGT）典型值0.2mA，觸發電壓（VGT）不過1.5V，適用于低