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半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn),為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含: 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測(cè)),屬于無損檢查: X-Ra
1.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。判斷失效的模式,查找失效原因和機(jī)理,提出預(yù)防再失效的對(duì)策的技術(shù)活動(dòng)和管理活動(dòng)稱為失效分析。 1.2 失效和事故 失效與事故是緊密相關(guān)的兩個(gè)范疇,事故強(qiáng)調(diào)的是后果,即造成的損失和危害,而失效強(qiáng)調(diào)的是機(jī)械產(chǎn)品本身的功能狀態(tài)。失效和事故常常有一定的因果關(guān)系,但兩者沒有必然的聯(lián)系。 1.3 失效和可靠 失效是可靠的反義詞。機(jī)電產(chǎn)品的可靠度R(t)是指時(shí)間
FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件及電路結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜,這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能,使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理: FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(
失效分析技術(shù),失效分析實(shí)驗(yàn)室,失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí),通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí),常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法,構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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