KRI 離子源應用于車載AR-HUD 鍍膜

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
氦質譜檢漏儀高溫真空燒結爐氣密性泄露檢測
氦質譜檢漏儀高溫真空燒結爐氣密性泄露檢測某客戶生產汽車過濾網, 因高溫真空燒結爐氣密性不佳, 導致生產出的過濾網材料出現氧化質量問題, 經過上海伯東推薦, 選用氦質譜檢漏儀?ASM 340W 對真空燒結爐進行檢漏, 真空模式下, 漏率 5X10-10?mar l/s. 經過檢漏后的真空爐, 生產出的過濾網材料無氧化, 達到客戶工藝要求.高溫真空燒結爐氦質譜檢漏法:金屬 (粉末)
美國 HVA 真空閥門選型
上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列
KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3