美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過
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氦質譜檢漏儀?CVD 設備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關產品衍生智造為主業的創新型科技公司, **產品是物聯網, 5G 通訊, 安防監控等*三代半導體芯片. 芯片在生產過程中使用 CVD 設備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設備處于高真空狀態, 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設備檢漏要
KRI 離子源用于離子束拋光機
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