MOS管失效原因是什么？

時間：2019-12-18

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG
企業文化
STANSON技術形成于1981年，業務集中于出口當時的半導體設備和零件。此后，她逐漸轉型為材料和零部件銷售。 1996年，由于市場需求，司坦森科技在閩臺成立子公司，設計/開發半導體器件，如電晶體、莫斯菲特、二極管及IC設計。為了進一步加強對中國客戶的支持，司坦森科技在閩臺和深圳設立了銷售辦事處。司坦森提供各種規格的寬產品線的總電源解決方案。這包括監管者，如液晶顯示器/電視、dsc、磁盤陣
STANSON原廠現貨STP4435參數P30V 10A用于車燈可替代Si9804、AO4419
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以
STC6301D
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其中高側開關、低在線功率損耗和暫態電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v