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新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面,這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成
濺射靶材的主要應用濺射靶材主要應用于電子及信息產業,如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;亦可應用于玻璃鍍膜領域;還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業。分類 根據形狀可分為長靶,方靶,圓靶,異型靶 根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材 根據應用不同又分為半導體關聯陶瓷靶材、記錄介質陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等 根據應用領
1、 半導體濺射靶材行業市場空間廣根據統計,2015 年全球半導體材料銷售額為435 億美元,其中晶圓制造材料銷售額為242 億美元,封裝材料為193 億美元。在晶圓制造材料中,濺射靶材約占芯片制造材料市場的2.6%。在封裝測試材料中,濺射靶材約占封裝測試材料市場的2.7%。從2011-2015年,世界半導體用靶極濺射材料市場從10.1億美元,增長至11.4億美元,復合增長率為3.1%。2016年
現階段靶材的制取關鍵有鑄造法和粉未冶金法。鑄造法:將一定成份配制的合金原材料熔煉,再將合金飽和溶液澆筑于模貝中,產生澆鑄,最終經機械加工制造做成靶材,鑄造法在真空泵中熔煉、鑄造。常見的熔煉方式 有真空泵磁感應熔煉、真空泵電孤熔煉和真空電子負電子熔煉等,其特點是靶材殘渣含量(尤其是汽體殘渣含量)低,相對密度高,可進口替代;缺陷是對溶點和相對密度相距過大的二種或兩種以上金屬材料,一般熔煉法難以獲得成份
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