可控硅調壓模塊的幾種應用電路

時間：2022-08-23

作者：上海秦邦電子科技有限公司

15995613456

詞條
詞條說明
整流橋模塊
整流橋是橋式整流電路的實物產品，那么實物產品該如何接線到實際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設計接線圖的時候已經將安裝方式固定下來了，那么在實際應用過程中只需要，對應線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種，一個是實物產品與電路圖的對應方式。左側為橋式整流電路內部結構圖，B3作為整流正極輸出，C4作為整流負極輸出，A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋實物產品圖樣式，
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
【可控硅模塊】可控硅模塊特點
可控硅模塊特點1、整流結構**采用**出口變壓器結構設計大大提高了整流效率節約了能源并使整機體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動穩壓/穩流、自動電流密度、0-180秒任意調節軟啟動等良好控制功能，并可通過接口實現計算機控制，是目前**的可控硅控制系統。工作穩定、抗干擾能力強、穩流/穩壓精度高、使用壽命長。3、工作