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時間：2023-04-11

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n
氦質譜檢漏儀 CVD 設備檢漏,滿足第三代半導體芯片量產
氦質譜檢漏儀?CVD 設備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關產品衍生智造為主業的創新型科技公司, **產品是物聯網, 5G 通訊, 安防監控等*三代半導體芯片. 芯片在生產過程中使用 CVD 設備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設備處于高真空狀態, 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設備檢漏要
HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機
國內某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列，尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標準不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??下圖是某?OLED?鍍膜機廠家配置上海伯東美
HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統或低溫泵