閩臺STANSON廠家STC4614 規(guī)格參數(shù)NP40V 10A

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：203

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG

• 臺產(chǎn)STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫存充足

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷供貨，庫存充足，價格優(yōu)勢，質(zhì)量保證STC4614可替代其它品牌：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量

• STANSON原廠STC4614 STP413D STN4828 STP4435 當天交貨庫存充足

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v