MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時間：2015-08-26作者：長春艾克思科技有限責任公司瀏覽：152

長春艾克思科技有限責任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

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• 首創(chuàng)：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！ 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點！但是正是由于較高的開關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應，這一效應增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應：調(diào)Q驅(qū)動器通過導線和晶體連接，連接導線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4

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  圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應的溫度范圍有限，50~1300℃大溫度范圍的控制，一般采用多點曲線升溫的方式，單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象，引發(fā)系統(tǒng)失調(diào)，損壞電熱絲和熱電偶，經(jīng)過長期的實驗調(diào)試，這里推出多參數(shù)PID控制電源，用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕，通過設(shè)定旋鈕位置，保證了加熱系統(tǒng)的安全；電源前

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